贴片铝电解电容的特点和简单的检测方法

   发布时间:2019-05-08 10:18    

     贴片铝电解电容是由铝圆筒做负极,里面装有液体电解质,插入一片弯曲的铝带做正极制成。还需要经过直流电压处理,使正极片上形成一层氧化膜做介质。它的特点是容量大,但是漏电大,稳定性差,有正负极性,适宜用于电源滤波或者低频电路中。铝电解电容有三个特点。

  一:单位体积的电容量非常大。比其它种类的电容大几十到数百倍。

    二:额定的容量可以做到非常大。可以轻易做到几万μf甚至几f。

    三:性价比高。因为电解电容的组成材料都是普通的工业材料,比如铝等等。制造铝电解电容的设备也都是普通的工业设备,可以大规模生产,成本相对比较低。

  铝电解电容的容体比较大,串联电阻较大,感抗较大,对温度敏感。它适用于温度变化不大、工作频率不高(不高于25kHz)的场合,可用于低频滤波(在高频率得时候电解电容的并联滤波效果较低频差),铝电解电容具有极性,安装时必须保证正确的极性,否则有爆炸的危险。铝电解电容器的额定电压的1.3倍作为电容器的浪涌电压,工作电压高于160V时,是额定工作电压+50V作为浪涌电压,这是生产厂家保证的电压,可以允许在短时间内承受此电压。电容器处于浪涌电压时,电流会很大,通常是正常情况的10~15倍,如果时间太长,会爆开。

贴片铝电解电容

       贴片铝电解电容的检测方法:

      贴片铝电解电容双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管 PN 结。正向偏置的 EB 结有空穴从发射极注入基区,其中大局部空穴可以抵达集电结的边境,并在反向偏置的 CB 结势垒电场的作用下抵达集电区,构成集电极电流 IC 。

  在共发射极晶体管电路中 , 发射结在基极电路中正向偏置 , 其电压降很小。绝大局部 的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。由于 VBE 很小,所以基极电流约为 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。

  假如贴片铝电解电容晶体管的共发射极电放逐大系数β = IC / IB =100, 集电极电流 IC= β*IB=10mA。在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V,而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V,假如在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib,在集电极电路中将呈现一个相应的交变电流ic,有c/ib=β,完成了双极晶体管的电放逐大作用。

  金属氧化物半导体场效应三极管的根本工作原理是靠半导体外表的电场效应,在半导体中感生出导电沟道来停止工作的。当栅 G 电压 VG 增大时, p 型半导体外表的多数载流子棗空穴逐步减少、耗尽,而电子逐步积聚到反型。当外表到达反型时,电子积聚层将在 n+ 源区 S 和 n+ 漏区 D 之间构成导电沟道。当 VDS ≠ 0 时,源漏电极之间有较大的电流 IDS 流过。使贴片铝电解电容半导体外表到达强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压 VT 。当 VGS>VT 并取不同数值时,反型层的导电才能将改动,在相同的 VDS 下也将产生不同的 IDS , 完成栅源电压 VGS 对源漏电流 IDS 的控制。

 


 


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